Условия эпитаксиального роста

При оса­ждении германия на плоскость монокристалла германия вплоть до 300° С образуются практически аморфные пленки. Выше этой температуры образуются поликристаллические плен­ки, которые показывают, что с увеличением температуры тексту­ра усиливается. Так же как пленки, выращенные на аморфных подложках, эпитаксиальные пленки, конденсированные при тем­пературах от 350 до 450° С. Выше 550°С на чистых подложках всегда наблюдается рост монокристаллических пленок при скоростях осаждения от 1 до 100 А/сек. При этих условиях степень упоря­дочения в пленках не изменяется с увеличением толщины.

Однако при температуре подложки, критической для образо­вания монокристаллов (~450°С), рост пленки начинается с по­явления маленьких зерен и монокристаллических участков и переходит к образованию монокристалла при толщине порядка 100 А. При скоростях осаждения около 120 А/сек и выше наблю­дается образование двойников.

Интересно отметить, что в германиевых пленках, осажден­ных на поверхность CaF₂, рост монокристаллов имеет место только при низких скоростях осаждения. Значительное двойникование происходит уже при скоростях, больших 10 А/сек, Ограничение условий эпитаксиального роста, наблюдаемое в этом случае, может быть вызвано не только небольшой разницей в параметрах решетки, но и различным характером связи в под­ложке и осаждаемой пленке.

Если подложка и осаждаемая пленка состоят из разных ма­териалов, имеют различный характер связи или кристаллизуют­ся в различных решетках, то создаются значительно более слож­ные условия эпитаксиального роста.