Зависимость структуры от параметров осаждения

Атомы адсорбированного газа при­водят к уменьшению поверхностной подвижности и уменьшению размеров зерен. Захват атомов газа, связанных в основном цандерваальсовыми силами, приводит к образованию пористых и сильно разупорядоченных пленок. Если присутствуют газы с большим химическим сродством к осажденному материалу, при более высоких температурах подложки и давлениях часто обра­зуются химические соединения. Для получения хорошо упорядоченных и чистых пленок требуется, как правило, вакуум 10~⁷ мм рт. ст. или более глубокий. Исключение составляет испарение разла­гающихся соединений, содержащих газовые компоненты, а имен­но окислов или нитридов. При этом присутствие соответствую­щего газа при парциальном давлении от 10^-4 до 10^-3 мм рт. ст. может способствовать образованию стехиометрического соеди­нения в процессе конденсации.

Можно ожидать, что темпе­ратура подложки в процессе роста будет оказывать сильное влияние на формирование структуры. При низких температурах подложки структура образовавшейся пленки зависит от харак­тера связи материала пленки.

Такие металлы, как Си, Al, Hg или РЬ, образуют кристалли­ческие слои даже при температуре жидкого гелия. Этому способствуют два фактора. Во-первых, плотноупакованные структуры этих металлов не слишком отличаются от плотноупакованных разупорядоченных групп атомов. Поэтому свобод­ная энергия обоих состояний почти одинакова, и для упорядоче­ния атомов нужны только небольшие смещения. Во-вторых, для отрыва валентных электронов требуется не определенное пространственное расположение атомов, а только наличие неко­торого минимального расстояния между атомами, и резуль­тирующее поле сил между электронным газом и атомными оболочками не является анизотропным.